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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STN2NE10L由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STN2NE10L价格参考。STMicroelectronicsSTN2NE10L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STN2NE10L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STN2NE10L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STN2NE10L是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于功率开关和高频率应用中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)等,实现高效的能量转换,适用于笔记本电脑、服务器和工业电源设备。 2. 电机控制:在直流电机或步进电机的驱动电路中,作为功率开关元件,控制电机的启停与转速。 3. 负载开关:用于控制高电流负载的通断,如LED照明、加热元件或风扇等。 4. 逆变器与变频器:在小型逆变器或变频器中,用于将直流电转换为交流电,支持不间断电源(UPS)或太阳能逆变系统。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、电机驱动或车载充电器中,满足汽车环境下的高可靠性需求。 该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合高效率、高频率的开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | STN2NE10L |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | STripFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 345pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 400 毫欧 @ 1A,10V |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.8A (Tc) |