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  • 型号: IRF3703PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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IRF3703PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF3703PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF3703PBF价格参考。International RectifierIRF3703PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 30V 210A(Tc) 3.8W(Ta),230W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRF3703PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF3703PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 210A TO-220ABMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

210 A

Id-连续漏极电流

210 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF3703PBFHEXFET®

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产品型号

IRF3703PBF

Pd-PowerDissipation

230 W

Pd-功率耗散

230 W

Qg-GateCharge

209 nC

Qg-栅极电荷

209 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

2.8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

123 ns

下降时间

24 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

8250pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

209nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.8 毫欧 @ 76A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

*IRF3703PBF

典型关闭延迟时间

53 ns

功率-最大值

3.8W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

210A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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