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IRF640NSTRLPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF640NSTRLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF640NSTRLPBF价格参考¥3.31-¥3.60。International RectifierIRF640NSTRLPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 18A(Tc) 150W(Tc) D2PAK。您可以下载IRF640NSTRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF640NSTRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF640NSTRLPBF是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于多种电力电子设备中。其应用场景主要包括但不限于以下几个方面: 1. 开关电源 IRF640NSTRLPBF常用于开关电源(SMPS)的设计中,作为主开关管或同步整流器。它能够快速切换通断状态,从而实现高效的电压转换和调节。由于其低导通电阻(Rds(on))特性,可以在高频开关条件下减少功率损耗,提高电源效率。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中,IRF640NSTRLPBF可以用于控制电机的启停、调速和换向。它适用于中小功率的直流电机驱动电路,如电动工具、家用电器中的风扇、水泵等设备。通过PWM(脉宽调制)技术,MOSFET可以精确控制电机的工作状态,提供平稳的转速控制。 3. 逆变器 在光伏逆变器、UPS(不间断电源)等设备中,IRF640NSTRLPBF可以用于DC-AC逆变电路中,将直流电转换为交流电。其快速的开关速度和较低的导通电阻有助于提高逆变器的效率,并减少热量产生。 4. 电池管理系统 在电池管理系统(BMS)中,IRF640NSTRLPBF可以用于保护电路,防止过充、过放、短路等情况发生。它可以通过切断电流路径来保护电池组的安全,确保电池在安全范围内工作。 5. 汽车电子 在汽车电子领域,IRF640NSTRLPBF可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)、LED照明驱动等场景。它能够承受较高的工作温度和电压波动,适合汽车环境下的严苛要求。 6. 工业自动化 在工业自动化设备中,如PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器等,IRF640NSTRLPBF可以用于信号隔离、负载驱动等场合。它能够提供可靠的开关功能,确保系统的稳定运行。 总的来说,IRF640NSTRLPBF凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各种电力电子设备中,特别是在需要高效、快速响应的开关应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAKMOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF640NSTRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF640NSTRLPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 150 W |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| Qg-GateCharge | 44.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 44.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 150 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 150 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 19 ns |
| 下降时间 | 5.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1160pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 67nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 150 毫欧 @ 11A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRF640NSTRLPBF-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 功率-最大值 | 150W |
| 功率耗散 | 150 W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 150 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 44.7 nC |
| 标准包装 | 800 |
| 正向跨导-最小值 | 6.8 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 18 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf640ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf640ns.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |