Datasheet下载- 型号： ZVN2120GTC
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVN2120GTC由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVN2120GTC价格参考。Diodes Inc.ZVN2120GTC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZVN2120GTC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVN2120GTC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZVN2120GTC 是由 Diodes Incorporated 推出的一款 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于各类电子设备中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合用于电源管理和开关电路。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、稳压器和电池充电电路，适用于笔记本电脑、移动电源等便携设备。 2. 负载开关：用于控制电源通断，如在电机驱动、LED照明或传感器供电中作为高效开关使用。 3. 信号开关：在通信设备或音频电路中作为高速信号切换元件。 4. 汽车电子：如车载充电器、车身控制模块等对可靠性和效率要求较高的系统。 5. 工业控制：用于PLC、继电器驱动、自动化设备中的电源控制部分。 该MOSFET采用SOT-223封装，散热性能良好，适合表面贴装，适用于中等功率应用。其工作电压和电流参数适中，性价比较高，适合多种通用设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CHAN 200V SOT223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ZVN2120GTC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 85pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 欧姆 @ 250mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 320mA （Ta） |
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