Datasheet下载- 型号： ZXMP3A16GTA
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMP3A16GTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMP3A16GTA价格参考￥3.18-￥4.16。Diodes Inc.ZXMP3A16GTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMP3A16GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMP3A16GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated 的 ZXMP3A16GTA 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，其应用场景广泛适用于多种电子设备和电路设计。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 - 用于 DC-DC 转换器中的开关元件，提供高效的电压转换。 - 在负载开关中起到控制电流流动的作用，实现快速开启和关闭功能。 - 应用于电池管理系统（BMS），用于保护电路免受过流、短路等故障的影响。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中作为功率开关，控制电机的启停和速度调节。 - 提供低导通电阻（Rds(on)）以减少功率损耗，提高系统效率。 3. 消费电子产品 - 适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的电源管理模块。 - 用于 USB 充电端口的过流保护和电流分配。 4. 工业应用 - 在工业自动化设备中作为信号隔离和功率放大元件。 - 用于继电器替代方案，提供更快速和可靠的切换性能。 5. 通信设备 - 在路由器、交换机等网络设备中用于电源管理和信号调节。 - 提供稳定的电流输出以支持高效的数据传输。 6. 汽车电子 - 用于车载充电器、LED 照明驱动和车载娱乐系统的电源管理。 - 符合车规级要求的场景中，提供高可靠性和耐久性。 ZXMP3A16GTA 的低导通电阻（典型值为 10mΩ）、小封装尺寸（SOT-23）以及良好的电气特性使其成为紧凑型设计的理想选择。它适合需要高效能、低功耗和高可靠性的各种应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 4.6A SOT223MOSFET 30V P Chnl UMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 7.5 A |
| Id-连续漏极电流 | - 7.5 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMP3A16GTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMP3A16GTA |
| Pd-PowerDissipation | 3.9 W |
| Pd-功率耗散 | 3.9 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 45 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 6.5 ns |
| 下降时间 | 21.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1022pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 4.2A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | ZXMP3A16GCT |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 37.1 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.4A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
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