ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF4905STRRPBF
Datasheet下载- 型号： IRF4905STRRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF4905STRRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF4905STRRPBF价格参考￥询价-￥询价。International RectifierIRF4905STRRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 55V 42A（Tc） 170W（Tc） D2PAK。您可以下载IRF4905STRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF4905STRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF4905STRRPBF 是一款P沟道MOSFET，具有低导通电阻、高电流承载能力和优良的开关性能。该器件广泛应用于需要高效功率控制和管理的场景。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：常用于DC-DC转换器、同步整流电路中，提高电源转换效率，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块。 2. 负载开关：作为高侧或低侧开关，控制电池供电设备的电源通断，如便携式电子产品、移动电源等，有效防止反向电流和过流。 3. 电机驱动：在直流电机和步进电机驱动电路中，用于实现正反转控制和能耗制动，常见于电动工具、家用电器和工业控制系统。 4. 逆变器与H桥电路：配合N沟道MOSFET使用，在全桥或半桥拓扑中实现电压极性切换，适用于UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和电动车控制系统。 5. 电池保护电路：用于锂电池保护板中，作为充放电控制开关，提供过压、过流和短路保护功能。 IRF4905STRRPBF采用表面贴装封装（如D²PAK），便于自动化生产，具备良好的热性能和可靠性，适合工业级和汽车级应用环境。其无铅环保设计也符合RoHS标准，广泛用于对环保和稳定性要求较高的电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 55V 42A D2PAKMOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 20mOhms 120nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 74 A |
| Id-连续漏极电流 | - 74 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF4905STRRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF4905STRRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 200 W |
| Pd-功率耗散 | 200 W |
| Qg-GateCharge | 180 nC |
| Qg-栅极电荷 | 180 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 20 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 20 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 2 V to - 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 2 V to - 4 V |
| 上升时间 | 99 ns |
| 下降时间 | 64 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 180nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 毫欧 @ 42A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 典型关闭延迟时间 | 51 ns |
| 功率-最大值 | 170W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 800 |
| 正向跨导-最小值 | 19 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 42A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
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