ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF740PBF
Datasheet下载- 型号： IRF740PBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF740PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF740PBF价格参考￥3.77-￥3.84。VishayIRF740PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 400V 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRF740PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF740PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRF740PBF是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）：IRF740PBF常用于开关电源中的功率开关，能够高效地控制电压和电流的转换，适用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等。 2. 电机驱动：该型号适合用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，提供高效率的开关控制，支持电机的正转、反转及调速功能。 3. 负载开关：在需要频繁开启和关闭负载的应用中，IRF740PBF可以作为高效的负载开关，适用于电池供电设备（如笔记本电脑、移动电源等）。 4. 逆变器：在光伏逆变器或其他类型的逆变器中，该MOSFET可用于将直流电转换为交流电，实现能量的有效传输。 5. LED驱动：对于大功率LED照明系统，IRF740PBF可以用作PWM调光控制器，调节LED亮度并保持稳定的电流输出。 6. 保护电路：在过流保护、短路保护等电路中，该器件能够快速响应异常情况，切断电流路径以保护整个系统。 7. 音频功放：部分D类音频放大器使用MOSFET作为输出级开关元件，IRF740PBF因其低导通电阻和高速切换特性，在此类应用中表现出色。 8. 继电器替代：由于其固态特性和长寿命优势，IRF740PBF可替代传统机械继电器用于各种切换场景，减少噪音和磨损问题。 总之，IRF740PBF凭借其优良的电气性能（如低Rds(on)、高击穿电压、大电流承载能力等），成为众多功率控制与转换场合的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 400V 10A TO-220ABMOSFET N-Chan 400V 10 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF740PBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91054点击此处下载产品Datasheet |
| 产品型号 | IRF740PBFIRF740PBF |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| Qg-栅极电荷 | 63 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 550 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 550 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 400 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 400 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 27 ns |
| 下降时间 | 24 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 550 毫欧 @ 6A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF740PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 125W |
| 功率耗散 | 125 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 550 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 400 V |
| 漏极连续电流 | 10 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
| 零件号别名 | SIHF740-E3 |
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