ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PUMD12,135
Datasheet下载- 型号： PUMD12,135
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMD12,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMD12,135价格参考。NXP SemiconductorsPUMD12,135封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz, 180MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMD12,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMD12,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMD12,135 是 NXP USA Inc. 推出的双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含两个独立的 NPN 晶体管，每个均集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置为 R₁=10kΩ, R₂=10kΩ），实现内置偏置，无需外部偏置电阻。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（如ARM、AVR、PIC）I/O口与5V/3.3V外设之间的信号缓冲与电平适配，简化电路设计； 2. LED驱动与指示灯控制：凭借低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=10mA）和内置限流电阻，可直接驱动中小电流LED（≤100mA），提升可靠性并节省PCB空间； 3. 开关电源与负载开关：在DC-DC转换器、电源使能（EN）控制、背光调光等场景中，作为低成本、高集成度的开关元件； 4. 传感器信号调理与继电器驱动：配合光耦或霍尔传感器实现隔离控制，或驱动小型电磁继电器（线圈电流≤100mA）； 5. 消费电子与IoT设备：广泛应用于智能家电、可穿戴设备、无线模块（如Wi-Fi/BLE模组）中的状态检测、按键扫描及电源管理子电路。 该器件采用SOT-363（SC-70-6）微型封装，支持高密度贴装，具备ESD防护（HBM >2kV）、宽工作温度范围（−65°C 至 +150°C）及AEC-Q101车规级可靠性（部分批次），亦适用于工业与汽车电子辅助系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PUMD12,135 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934055432135 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | 230MHz， 180MHz |
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