Datasheet下载- 型号： ZVN4210A
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVN4210A由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVN4210A价格参考。Diodes Inc.ZVN4210A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZVN4210A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVN4210A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZVN4210A 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，其主要应用场景包括： 1. 便携式设备：由于 ZVN4210A 具有低导通电阻（Rds(on)）和小封装尺寸（如 SOT-23），非常适合用于手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品的电源管理电路中。它可以用作负载开关或 DC-DC 转换器中的开关元件。 2. 电池管理系统：在电池供电的设备中，该 MOSFET 可以用作电池保护电路中的开关元件，控制电池充放电路径，防止过流、短路等情况对电池造成损害。 3. 电机驱动：ZVN4210A 的低 Rds(on) 和快速开关特性使其适合小型直流电机驱动应用，例如玩具、风扇或其他需要低功率电机控制的场合。 4. 信号切换：在需要切换信号路径的应用中，如音频信号切换、传感器信号选择等，ZVN4210A 可以作为模拟开关使用，提供低导通损耗和良好的线性性能。 5. 负载保护：在各种电子设备中，该器件可以用来实现过流保护、短路保护等功能，确保下游电路的安全运行。 6. 音频放大器：在一些低功率音频放大器设计中，ZVN4210A 可以用作输出级驱动元件，提供高效能的声音输出。 总之，ZVN4210A 凭借其紧凑的封装、低导通电阻以及出色的电气特性，广泛应用于消费类电子产品、工业控制、通信设备等领域，特别是在需要高效能、低功耗和小体积解决方案的地方表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3MOSFET N-Chnl 100V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 450 mA |
| Id-连续漏极电流 | 450 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVN4210A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZVN4210A |
| Pd-PowerDissipation | 700 mW |
| Pd-功率耗散 | 700 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.8 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.5 欧姆 @ 1.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 1.8 Ohms |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 450 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 450mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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