数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL3303D1STRR由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL3303D1STRR价格参考。VishayIRL3303D1STRR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRL3303D1STRR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRL3303D1STRR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRL3303D1STRR 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻、高效率和快速开关特性。该器件广泛应用于需要高效功率控制的场景。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关,提高电源转换效率,降低功耗。 2. 电机驱动:适用于直流电机、步进电机等驱动电路,提供高效的开关控制和良好的热稳定性。 3. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板、移动电源等便携设备中,作为高效能开关元件,延长电池续航时间。 4. 汽车电子:用于车载电源系统、LED 照明驱动、电动工具及车用电机控制器中。 5. 工业自动化:在工业控制模块、PLC 和传感器供电系统中实现高速开关和低损耗运行。 该 MOSFET 采用表面贴装封装(如 PowerPAK®),便于散热和 PCB 布局,适合高密度设计。由于其逻辑电平栅极驱动特性,可直接与数字控制器或 PWM 驱动器配合使用,无需额外驱动电路,提升了系统的集成度与可靠性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRL3303D1STRR |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 870pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 26 毫欧 @ 20A,10V |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 68W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 38A (Tc) |