Datasheet下载- 型号： SIHB12N60E-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHB12N60E-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHB12N60E-GE3价格参考。VishaySIHB12N60E-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIHB12N60E-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHB12N60E-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIHB12N60E-GE3是一款N通道功率MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS） - SIHB12N60E-GE3具有600V的高击穿电压和低导通电阻（典型值为1.8Ω @ Vgs=10V），非常适合用于开关电源中的高频开关应用。例如，它可以作为主开关管或同步整流管，应用于离线式AC-DC转换器、DC-DC转换器等。 2. 电机驱动 - 在小型电机控制中，该MOSFET可以用作开关元件，实现对电机的启动、停止和速度调节等功能。其高耐压特性使其能够承受电机启动时的瞬态高压。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，SIHB12N60E-GE3可用于功率级电路，将直流电转换为交流电。其快速开关特性和低损耗有助于提高效率。 4. PFC（功率因数校正）电路 - 该器件适用于Boost PFC拓扑结构中的开关管，帮助改善输入电流波形，提高系统的功率因数。 5. 负载切换与保护 - 在需要频繁切换负载的应用中，如电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）等，SIHB12N60E-GE3可以实现高效的负载切换，并提供过流保护功能。 6. 电磁阀驱动 - 由于其高耐压和良好的开关性能，该MOSFET可直接驱动电磁阀，适用于工业自动化设备或家用电器中的电磁阀控制。 特性总结： - 高耐压：600V击穿电压，适合高压环境。 - 低导通电阻：减少导通损耗，提高系统效率。 - 快速开关：降低开关损耗，支持高频工作。 - 小封装：TO-252 (DPAK) 封装节省空间，便于PCB布局。 综上所述，SIHB12N60E-GE3是一款性能优异的功率MOSFET，广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 12A TO263MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SiHB12N60E-GE3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SiHB12N60E-GE3SIHB12N60E-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 147 W |
| Pd-功率耗散 | 147 W |
| Qg-GateCharge | 58 nC |
| Qg-栅极电荷 | 58 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 380 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 380 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 38 ns |
| 下降时间 | 38 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 937pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 58nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 6A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30391 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | SIHB12N60EGE3 |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 147W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 正向跨导-最小值 | 3.8 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
| 系列 | E |
| 配置 | Single |
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