Datasheet下载- 型号： NVD5865NLT4G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVD5865NLT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVD5865NLT4G价格参考。ON SemiconductorNVD5865NLT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVD5865NLT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVD5865NLT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVD5865NLT4G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 该型号适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电压调节模块（VRM）。其低导通电阻（Rds(on)）特性可以有效降低功耗，提高效率，适合用于笔记本电脑适配器、服务器电源和其他高效率电源系统。 2. 电机驱动 NVD5865NLT4G 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，尤其是在需要高效开关和低损耗的应用场景下，如家用电器（风扇、泵等）和工业自动化设备。 3. 负载开关 在消费类电子产品中，这款 MOSFET 可作为负载开关使用，例如在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中实现快速切换和保护功能。 4. 电池管理 它可用于电池充电和保护电路，支持锂电池组的充放电管理。低导通电阻有助于减少电池系统的功率损耗，延长续航时间。 5. 逆变器和光伏系统 在太阳能逆变器或其他可再生能源相关应用中，NVD5865NLT4G 的高性能特性能够满足高效能量转换的需求。 6. LED 驱动 此款 MOSFET 可用于大功率 LED 照明系统的驱动电路中，提供稳定的电流输出并确保高效的能源利用。 7. 通信设备 在基站、路由器和其他通信基础设施中，该器件可用于信号处理和电源分配的高效控制。 总结来说，NVD5865NLT4G 凭借其优异的电气性能（如低 Rds(on)、高击穿电压和快速开关速度），广泛应用于各种需要高效能和可靠性的电子设备中，涵盖消费电子、工业控制、汽车电子以及绿色能源等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4MOSFET NFET 60V 34A 18MOHM |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 46 A |
| Id-连续漏极电流 | 46 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NVD5865NLT4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NVD5865NLT4G |
| Pd-PowerDissipation | 71 W |
| Pd-功率耗散 | 71 W |
| Qg-GateCharge | 29 nC |
| Qg-栅极电荷 | 29 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 16 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 16 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V |
| 上升时间 | 12.4 ns |
| 下降时间 | 4.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 19A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 功率耗散 | 71 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 16 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 29 nC |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 15 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 46 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Ta）， 46A （Tc） |
| 系列 | NVD5865NL |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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