Datasheet下载- 型号： ZVP4525ZTA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVP4525ZTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVP4525ZTA价格参考￥1.97-￥2.30。Diodes Inc.ZVP4525ZTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZVP4525ZTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVP4525ZTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZVP4525ZTA 是由 Diodes 公司生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于低电压、中等功率的开关和逻辑电平控制应用。该器件采用先进的工艺制造，具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在较低的栅极电压下工作，适合用于电池供电设备和便携式电子产品。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池充放电管理电路中，实现高效的功率控制。 2. 电机驱动：适用于小型直流电机、步进电机的驱动控制，尤其在需要低导通损耗和快速开关响应的场合。 3. 逻辑接口控制：由于其兼容逻辑电平输入（如3.3V或5V），可直接由微控制器或逻辑电路驱动，广泛用于自动化控制系统和嵌入式设备中。 4. 负载开关和继电器替代：在需要高可靠性和长寿命的开关应用中，ZVP4525ZTA 可作为固态开关替代传统机械继电器。 5. LED照明控制：用于LED背光、照明系统的开关和调光控制，具有良好的热稳定性和抗干扰能力。 该MOSFET具有体积小、功耗低、响应快等优点，适合用于高密度、高性能的电子系统设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 250V 200MA SOT-89MOSFET P-Chnl 250V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 205 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 205 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVP4525ZTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZVP4525ZTA |
| Pd-PowerDissipation | 1.2 W |
| Pd-功率耗散 | 1.2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 285 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 285 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 40 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 40 V |
| 上升时间 | 3.78 ns |
| 下降时间 | 3.78 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 73pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 欧姆 @ 200mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 其它名称 | ZVP4525ZCT |
| 典型关闭延迟时间 | 17.5 ns |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 205mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
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