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  • 型号: STF30NM60N
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STF30NM60N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF30NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTF30NM60N封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STF30NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STF30NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的STF30NM60N是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换和开关控制的电子设备中。该器件具有低导通电阻、高耐压(600V)和较大工作电流(30A)的特点,适合用于电源管理和电机控制等领域。

典型应用场景包括:

1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC整流器等,用于提高能量转换效率并减小体积。
2. 电机驱动:用于工业自动化设备、电动工具、风扇及泵类电机控制电路中,实现快速开关和高效调速。
3. 照明系统:在LED照明驱动电源中作为开关元件,支持高效率和稳定输出。
4. 家电控制:如电磁炉、洗衣机、空调等家用电器中的功率控制模块。
5. 新能源领域:如太阳能逆变器、储能系统中的功率开关,支持清洁能源的高效利用。

该MOSFET采用TO-220或类似封装,便于散热和安装,适用于中高功率应用场景。其性能稳定、可靠性高,是工业和消费类电子产品中常用的功率器件之一。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 25A TO-220FP

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

STMicroelectronics

数据手册

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产品图片

产品型号

STF30NM60N

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

MDmesh™ II

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2700pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

91nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

130 毫欧 @ 12.5A,10V

供应商器件封装

TO-220FP

功率-最大值

40W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3 整包

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

25A (Tc)

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