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Datasheet下载- 型号： IRF7606TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7606TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7606TRPBF价格参考。International RectifierIRF7606TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 3.6A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8™。您可以下载IRF7606TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7606TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF7606TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），主要应用于需要高效功率转换和开关操作的场景。以下是该型号的具体应用场景： 1. 电源管理 IRF7606TRPBF常用于各种电源管理系统，如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。它能够提供高效的电压转换和稳定的电流输出，适用于笔记本电脑、智能手机充电器、LED驱动器等设备中的电源模块。 2. 电机控制 在电机驱动电路中，IRF7606TRPBF可以作为开关元件，用于控制电机的启动、停止和调速。它广泛应用于小型家用电器（如风扇、吸尘器）和工业自动化设备（如伺服电机、步进电机）中，确保电机运行的稳定性和效率。 3. 电池管理系统 该MOSFET可用于电池管理系统（BMS）中，实现对电池充放电过程的精确控制。通过快速响应和低导通电阻特性，IRF7606TRPBF能够有效减少能量损耗，延长电池寿命，并确保电池的安全使用。 4. 逆变器和UPS系统 在逆变器和不间断电源（UPS）系统中，IRF7606TRPBF用于将直流电转换为交流电，或在市电中断时提供备用电源支持。其高耐压和低导通电阻特性使其能够在高频开关条件下保持高效工作，确保系统的可靠性和稳定性。 5. 消费电子设备 IRF7606TRPBF也广泛应用于各类消费电子产品，如平板电脑、智能手表、蓝牙音箱等。它在这些设备中主要用于电源管理、信号切换等功能，帮助实现更长的续航时间和更小的体积设计。 6. 汽车电子 在汽车电子领域，IRF7606TRPBF可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、车身控制系统等。它具备良好的抗干扰能力和环境适应性，能够在复杂的车载环境中稳定工作。 总之，IRF7606TRPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于多种电力电子应用场合，特别是在需要高效功率转换和快速开关响应的应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8MOSFET MOSFT PCh -30V -3.6A 90mOhm 20nC Micro 8 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 3.6 A |
| Id-连续漏极电流 | - 3.6 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7606TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7606TRPBF |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.8 W |
| Pd-功率耗散 | 1.8 W |
| Qg-GateCharge | 20 nC |
| Qg-栅极电荷 | 20 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 90 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 90 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 39 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 520pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 2.4A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Micro8™ |
| 其它名称 | IRF7606TRPBF-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 43 ns |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 功率耗散 | 1.8 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 90 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 封装/箱体 | Micro-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 20 nC |
| 标准包装 | 4,000 |
| 正向跨导-最小值 | 2.3 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
| 漏极连续电流 | - 3.6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.6A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf7606.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf7606.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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