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  • 型号: STF45N65M5
  • 制造商: STMicroelectronics
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STF45N65M5产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STF45N65M5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF45N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTF45N65M5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 650V 35A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP。您可以下载STF45N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STF45N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的STF45N65M5是一款N沟道增强型MOSFET,属于MDmesh™ M5技术系列。该器件具有650V的击穿电压(Vds)和较低的导通电阻(Rds(on)),非常适合用于高电压、高效率的应用场景。以下是其主要应用场景:

 1. 开关电源(SMPS)
   - STF45N65M5常用于开关电源的设计中,例如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。
   - 它能够高效地处理高电压输入,并在高频开关条件下保持低损耗。
   - 典型应用包括适配器、充电器以及工业电源。

 2. 电机驱动
   - 在电机控制电路中,STF45N65M5可以用作功率开关,驱动直流电机或步进电机。
   - 它适用于需要高电压驱动的工业电机、家用电器电机(如洗衣机、空调压缩机)等。

 3. 逆变器
   - 该MOSFET广泛应用于光伏逆变器、UPS(不间断电源)和其他类型的逆变器中。
   - 在这些应用中,它负责将直流电转换为交流电,同时保证高效率和低热损耗。

 4. PFC(功率因数校正)电路
   - STF45N65M5可用于Boost拓扑结构的功率因数校正电路,以提高系统的功率因数并减少谐波失真。
   - 这种应用常见于节能设备和高性能电源设计。

 5. 固态继电器
   - 作为固态继电器中的开关元件,STF45N65M5可以实现快速、可靠的开关操作,替代传统的机械继电器。
   - 应用于工业自动化、照明控制等领域。

 6. 电动汽车和混合动力汽车
   - 虽然STF45N65M5不是专为汽车设计,但它仍可应用于某些非核心高压系统中,例如车载充电器、辅助电源模块等。

 特性优势:
- 高击穿电压(650V):适合高压环境下的稳定运行。
- 低导通电阻(典型值为0.45Ω):降低传导损耗,提高效率。
- 快速开关性能:支持高频应用,减少开关损耗。
- 出色的热稳定性:确保在高温环境下可靠工作。

总之,STF45N65M5是一款性能优异的MOSFET,适用于多种高电压、高效率的电力电子应用领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 650V 35A TO220FPMOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh V MOS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

35 A

Id-连续漏极电流

35 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF45N65M5MDmesh™ V

数据手册

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产品型号

STF45N65M5

Pd-PowerDissipation

40 W

Pd-功率耗散

40 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

78 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

78 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

650 V

Vds-漏源极击穿电压

650 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3375pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

91nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

78 毫欧 @ 19.5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220FP

其它名称

497-12939-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253428?referrer=70071840

功率-最大值

40W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

650V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

35A (Tc)

系列

STF45N65M5

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