ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > PHD97NQ03LT,118
Datasheet下载- 型号： PHD97NQ03LT,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHD97NQ03LT,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHD97NQ03LT,118价格参考。NXP SemiconductorsPHD97NQ03LT,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 25V 75A（Tc） 107W（Tc） DPAK。您可以下载PHD97NQ03LT,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHD97NQ03LT,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PHD97NQ03LT,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 TO-252（DPAK）封装。其典型参数包括：VDS = 30 V、ID（连续）= 97 A（Tc = 25°C）、RDS(on) 极低（典型值仅 3.1 mΩ @ VGS = 10 V，4.5 mΩ @ VGS = 4.5 V），具备快速开关特性与强抗雪崩能力。 该器件主要面向高效率、高电流的低压直流电源管理场景，典型应用包括： ✅ 汽车电子：车载电机驱动（如车窗升降、座椅调节、冷却风扇控制）、LED 车灯调光/驱动、DC-DC 转换器（如 12 V→5 V/3.3 V 降压模块）； ✅ 工业控制：PLC 输出驱动、继电器/电磁阀替代开关、电动工具电池保护电路中的主功率开关； ✅ 消费类电源：大功率 USB PD 适配器次级同步整流、便携式充电设备（移动电源）的电池充放电路径管理； ✅ 通信设备：基站电源热插拔（Hot-swap）保护、负载开关（Load Switch）等需低导通损耗与高可靠性的场合。 其逻辑电平驱动特性（VGS(th) 约 1–2.5 V）支持直接由 MCU 或 FPGA 的 3.3 V/5 V GPIO 控制，无需额外驱动电路；TO-252 封装兼顾散热性与贴片自动化生产需求，适用于空间受限但功率密度要求高的设计。 注：实际选型需结合热设计、PCB 铜箔面积及峰值电流工况进行降额评估。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH 25V DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PHD97NQ03LT,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1570pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.3 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 其它名称 | 934061139118 |
| 功率-最大值 | 107W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
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