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产品简介:
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Infineon Technologies(英飞凌)的IPB14N03LA G是一款N沟道MOSFET,属于低压功率MOSFET系列,广泛应用于中小功率电源管理系统中。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高效率和良好的热稳定性,适合在紧凑型电子设备中使用。 典型应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、电压调节模块(VRM)和同步整流电路,提升电源转换效率。 2. 电池供电设备:如便携式电子产品(智能手机、平板电脑、移动电源等),因其低功耗和高开关速度,有助于延长电池续航时间。 3. 电机驱动:适用于小型直流电机或步进电机控制,常见于电动玩具、家用电器(如风扇、电动牙刷)和办公设备(打印机、扫描仪)。 4. 负载开关与电源开关:用于控制电路的上电时序和过流保护,提高系统可靠性。 5. 汽车电子:作为车载小功率负载的驱动元件,如车灯控制、传感器供电模块等,符合AEC-Q101标准,具备良好的环境适应性。 IPB14N03LA G采用PG-SOT223-3封装,体积小巧,便于集成在高密度PCB设计中,同时具备良好的散热性能。其30V耐压和14A连续电流能力,使其在成本与性能之间实现良好平衡,适合消费电子、工业控制和汽车辅助系统等多种领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPB14N03LA_Rev1.7_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42b4ee844c0 |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IPB14N03LA G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 20µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1043pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.3nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 13.6 毫欧 @ 30A,10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | IPB14N03LAGXT |
| 功率-最大值 | 46W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30A (Tc) |