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产品简介:
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FDP24AN06LA0 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效能、低损耗开关特性的场合。该器件具有较低的导通电阻(Rds(on))、高耐压(60V)和大电流承载能力(约24A),适用于中高功率DC-DC转换器、电源管理模块、马达控制、负载开关以及电池供电设备等场景。 常见应用场景包括: 1. 电源管理系统:用于笔记本电脑、服务器或工业设备中的高效同步整流与电压调节。 2. DC-DC转换器:在升压(Boost)或降压(Buck)电路中作为主开关元件,提升能量转换效率。 3. 电机驱动与负载开关:用于控制直流电机、继电器或LED灯组的开启与关闭,具备快速响应和良好热稳定性。 4. 电池充电/保护电路:在便携式设备如电动车、储能系统中实现充放电控制与过流保护。 5. 工业自动化设备:作为高频开关元件用于PLC、变频器及各类智能控制系统中。 其封装形式为TO-263(D²PAK),便于散热设计,适合表面贴装工艺,适用于中高功率密度的设计需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 40A TO-220AB |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FDP24AN06LA0 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | PowerTrench® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1850pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 19 毫欧 @ 40A,10V |
供应商器件封装 | TO-220AB |
功率-最大值 | 75W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 400 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.8A (Ta), 40A (Tc) |