【未分类_FQI1P50TU】封装/厂家_FQI1P50TU中文资料_价格

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型号： FQI1P50TU
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQI1P50TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI1P50TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI1P50TU封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FQI1P50TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI1P50TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQI1P50TU 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。以下是其主要应用场景：

 1. 开关电源 (SMPS)
   - FQI1P50TU 的高耐压特性（VDS = 500V）使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。它能够在高压环境下稳定工作，适用于 AC-DC 或 DC-DC 转换器。

 2. 电机驱动
   - 在中小功率电机驱动中，该 MOSFET 可用作开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。其低导通电阻（RDS(on) 典型值为 1.4Ω）有助于减少功率损耗，提高效率。

 3. 逆变器
   - 在光伏逆变器或 UPS 系统中，FQI1P50TU 可作为功率开关，实现直流到交流的转换。其快速开关特性和良好的热性能能够满足逆变器的需求。

 4. 负载开关
   - 由于其低导通电阻和高电流能力（ID = 1.8A），FQI1P50TU 可用于各种负载开关应用，例如工业设备、消费电子产品的电源管理模块。

 5. 电池保护电路
   - 在电池管理系统中，该 MOSFET 可用作保护开关，防止过流、过压或短路等异常情况对电池造成损害。

 6. 电磁阀和继电器驱动
   - 在工业自动化领域，FQI1P50TU 可用于驱动电磁阀或小型继电器，提供高效且可靠的开关功能。

 7. 照明系统
   - 在 LED 驱动器或其他照明系统中，该 MOSFET 可用作 PWM 调光控制元件，实现亮度调节和节能效果。

 8. 家电产品
   - 适用于家用电器（如风扇、吸尘器、洗衣机等）中的电机控制和电源管理模块，提供高性能和高可靠性。

 特点总结：
- 高耐压：500V 的漏源极击穿电压使其适合高压环境。
- 低导通电阻：典型值为 1.4Ω，降低功耗。
- 快速开关速度：适合高频应用。
- 紧凑封装：TO-252(DPAK) 封装节省空间，便于设计。

综上所述，FQI1P50TU 广泛应用于需要高压、高频和高效开关的场景，是许多电力电子设备的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FQI1P50TU
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	QFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	350pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	14nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	10.5 欧姆 @ 750mA，10V
供应商器件封装	I2PAK
功率-最大值	3.13W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
标准包装	1,000
漏源极电压(Vdss)	500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	1.5A （Tc）