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Datasheet下载- 型号： IRF9540PBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9540PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9540PBF价格参考￥4.72-￥10.18。VishayIRF9540PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 P 沟道 100V 19A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRF9540PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF9540PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRF9540PBF是一款单通道增强型P沟道功率MOSFET，广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：该MOSFET常用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器和电压调节模块（VRM）中，作为开关元件控制电流的通断，实现高效的电源转换。 2. 电机驱动：在电机控制系统中，IRF9540PBF可以用于逆变器、PWM控制器等电路，通过快速切换状态来调节电机的速度和方向，适用于小型直流电机、步进电机等。 3. 负载切换：它可以用作负载开关，例如在汽车电子设备中，用于控制各种负载（如灯光、风扇等）的开启与关闭，确保系统稳定运行并减少功耗。 4. 电池管理系统：在便携式设备或电动汽车的电池管理系统中，这款MOSFET能够帮助监控和保护电池组，防止过充、过放以及短路等情况发生。 5. 信号处理：在某些模拟信号处理电路中，IRF9540PBF也可以用作放大器或缓冲器的一部分，提供低阻抗输出路径。 6. 保护电路：由于其具备较低的导通电阻（Rds(on)），可以在过流保护电路中起到关键作用，当检测到异常电流时迅速切断电路以避免损坏其他组件。 7. 音频放大器：在一些高保真音响设备里，这种类型的MOSFET可能被用来构建功率放大级，因为它具有良好的线性度和热稳定性。 总之，IRF9540PBF凭借其优异的电气特性，如低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度，在众多工业、消费类电子产品领域都有着广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 19A TO-220ABMOSFET -100V Single P-Channel HEXFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 19 A |
| Id-连续漏极电流 | 19 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF9540PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF9540PBFIRF9540PBF |
| Pd-PowerDissipation | 150 W |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 73 ns |
| 下降时间 | 57 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 61nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 200 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF9540PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 34 ns |
| 功率-最大值 | 150W |
| 功率耗散 | 150 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 200 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 100 V |
| 漏极连续电流 | 19 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 19A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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