图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: SI1012R-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

SI1012R-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI1012R-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1012R-T1-GE3价格参考。VishaySI1012R-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 500mA(Ta) 150mW(Ta) SC-75A。您可以下载SI1012R-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI1012R-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI1012R-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,其主要应用场景包括以下几个方面:

 1. 电源管理
   - DC-DC 转换器:SI1012R 的低导通电阻(Rds(on))使其非常适合用于高效能的 DC-DC 转换电路,能够减少功率损耗并提高转换效率。
   - 负载开关:在便携式设备中,该器件可以用作负载开关,实现快速开启和关闭功能,同时降低功耗。
   - 电池管理:适用于锂电池保护电路、充电管理以及放电控制等场景。

 2. 电机驱动
   - 小型电机控制:可用于驱动小型直流电机或步进电机,提供高效的开关性能。
   - H 桥电路:在 H 桥设计中作为开关元件,用于双向电机控制。

 3. 信号切换
   - 音频信号切换:在多输入音频设备中,可以用来切换不同的信号源。
   - 数据线路保护:在 USB 或其他高速数据接口中,用作电子保险丝或保护开关。

 4. 消费电子产品
   - 智能手机和平板电脑:用于内部电源分配网络中的负载开关和电压调节。
   - 笔记本电脑及配件:如 USB-C 接口的电力传输(Power Delivery, PD)控制。
   - 智能家居设备:如智能灯泡、插座等需要低功耗和高效率开关的应用。

 5. 工业应用
   - 传感器接口:用于工业自动化系统中的传感器信号切换和保护。
   - 通信设备:在基站或其他通信设备中,用于电源管理和信号路由。

 特性优势
- 低导通电阻:有助于降低功耗,提升系统效率。
- 高工作频率:支持高频开关应用,适合现代高效能设计需求。
- 小型封装:采用 DPAK (TO-263) 封装,节省 PCB 空间,便于集成到紧凑型设备中。

综上所述,SI1012R-T1-GE3 广泛应用于各种需要高效开关和低功耗的场景,特别是在消费电子、通信设备和工业控制领域中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75AMOSFET 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

600 mA

Id-连续漏极电流

600 mA

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?71166

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1012R-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

SI1012R-T1-GE3SI1012R-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

150 mW

Pd-功率耗散

150 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

700 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

700 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 6 V

Vgs-栅源极击穿电压

6 V

上升时间

5 ns

下降时间

5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

900mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

0.75nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

700 毫欧 @ 600mA,4.5V

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SC-75A

其它名称

SI1012R-T1-GE3CT

典型关闭延迟时间

25 ns

功率-最大值

150mW

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-75A

封装/箱体

SC-75A-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

500mA (Ta)

系列

SI1012

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI1012R-GE3

SI1012R-T1-GE3 相关产品

NVF5P03T3G

品牌:ON Semiconductor

价格:

IXFH32N50

品牌:IXYS

价格:

FDB6021P

品牌:ON Semiconductor

价格:

AOD2810

品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

价格:

BUK9222-55A/C1,118

品牌:NXP USA Inc.

价格:

NTK3134NT5H

品牌:ON Semiconductor

价格:

PSMN5R5-60YS,115

品牌:Nexperia USA Inc.

价格:

IRF740ALPBF

品牌:Vishay Siliconix

价格: