ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > SI1012R-T1-GE3
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 | 
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx | 
查看当月历史价格
查看今年历史价格
SI1012R-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1012R-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1012R-T1-GE3价格参考。VishaySI1012R-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 500mA(Ta) 150mW(Ta) SC-75A。您可以下载SI1012R-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI1012R-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1012R-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,其主要应用场景包括以下几个方面: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:SI1012R 的低导通电阻(Rds(on))使其非常适合用于高效能的 DC-DC 转换电路,能够减少功率损耗并提高转换效率。 - 负载开关:在便携式设备中,该器件可以用作负载开关,实现快速开启和关闭功能,同时降低功耗。 - 电池管理:适用于锂电池保护电路、充电管理以及放电控制等场景。 2. 电机驱动 - 小型电机控制:可用于驱动小型直流电机或步进电机,提供高效的开关性能。 - H 桥电路:在 H 桥设计中作为开关元件,用于双向电机控制。 3. 信号切换 - 音频信号切换:在多输入音频设备中,可以用来切换不同的信号源。 - 数据线路保护:在 USB 或其他高速数据接口中,用作电子保险丝或保护开关。 4. 消费电子产品 - 智能手机和平板电脑:用于内部电源分配网络中的负载开关和电压调节。 - 笔记本电脑及配件:如 USB-C 接口的电力传输(Power Delivery, PD)控制。 - 智能家居设备:如智能灯泡、插座等需要低功耗和高效率开关的应用。 5. 工业应用 - 传感器接口:用于工业自动化系统中的传感器信号切换和保护。 - 通信设备:在基站或其他通信设备中,用于电源管理和信号路由。 特性优势 - 低导通电阻:有助于降低功耗,提升系统效率。 - 高工作频率:支持高频开关应用,适合现代高效能设计需求。 - 小型封装:采用 DPAK (TO-263) 封装,节省 PCB 空间,便于集成到紧凑型设备中。 综上所述,SI1012R-T1-GE3 广泛应用于各种需要高效开关和低功耗的场景,特别是在消费电子、通信设备和工业控制领域中表现出色。
| 参数 | 数值 | 
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement | 
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75AMOSFET 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V | 
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 | 
| FET功能 | 逻辑电平门 | 
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 | 
| Id-ContinuousDrainCurrent | 600 mA | 
| Id-连续漏极电流 | 600 mA | 
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix | 
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?71166 | 
| 产品图片 | 
 | 
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | 
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1012R-T1-GE3TrenchFET® | 
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI1012R-T1-GE3SI1012R-T1-GE3 | 
| Pd-PowerDissipation | 150 mW | 
| Pd-功率耗散 | 150 mW | 
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 700 mOhms | 
| RdsOn-漏源导通电阻 | 700 mOhms | 
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V | 
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V | 
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 6 V | 
| Vgs-栅源极击穿电压 | 6 V | 
| 上升时间 | 5 ns | 
| 下降时间 | 5 ns | 
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 900mV @ 250µA | 
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - | 
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.75nC @ 4.5V | 
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 700 毫欧 @ 600mA,4.5V | 
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET | 
| 供应商器件封装 | SC-75A | 
| 其它名称 | SI1012R-T1-GE3CT | 
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns | 
| 功率-最大值 | 150mW | 
| 包装 | 剪切带 (CT) | 
| 商标 | Vishay / Siliconix | 
| 安装类型 | 表面贴装 | 
| 安装风格 | SMD/SMT | 
| 封装 | Reel | 
| 封装/外壳 | SC-75A | 
| 封装/箱体 | SC-75A-3 | 
| 工厂包装数量 | 3000 | 
| 晶体管极性 | N-Channel | 
| 最大工作温度 | + 150 C | 
| 最小工作温度 | - 55 C | 
| 标准包装 | 1 | 
| 漏源极电压(Vdss) | 20V | 
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 500mA (Ta) | 
| 系列 | SI1012 | 
| 通道模式 | Enhancement | 
| 配置 | Single | 
| 零件号别名 | SI1012R-GE3 | 
 
                                
                             
                                
                             
                                
                            