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Datasheet下载- 型号： PSMN5R5-60YS,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN5R5-60YS,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN5R5-60YS,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN5R5-60YS,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 130W（Tc） LFPAK56，Power-SO8。您可以下载PSMN5R5-60YS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN5R5-60YS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN5R5-60YS,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款单通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于 FET 类型。这款器件具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于多种电力电子应用。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 该 MOSFET 常用于开关电源、DC-DC 转换器和电压调节模块中。由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，可以有效减少功率损耗，提高电源转换效率。它适用于笔记本电脑、服务器、通信设备等需要高效电源管理的场合。 2. 电机驱动 在电机控制应用中，MOSFET 作为开关元件，用于控制电机的启动、停止和速度调节。PSMN5R5-60YS,115 可以承受较高的电流和电压波动，适合应用于小型直流电机、步进电机和无刷直流电机的驱动电路中。 3. 负载开关 该器件可用作负载开关，用于控制电源与负载之间的连接。通过快速切换 MOSFET 的导通和关断状态，可以实现对负载的精确控制，广泛应用于消费电子、工业自动化等领域。 4. 电池管理系统 在电池管理系统（BMS）中，MOSFET 用于保护电池免受过充、过放、短路等异常情况的影响。PSMN5R5-60YS,115 的低导通电阻有助于减少电池充电和放电过程中的能量损失，延长电池寿命。 5. 汽车电子 在汽车电子系统中，MOSFET 用于各种电源管理和驱动任务，如电动助力转向系统（EPS）、制动系统、空调系统等。该器件的高可靠性和耐高温特性使其适合恶劣的汽车环境。 6. 太阳能逆变器 在太阳能发电系统中，MOSFET 用于逆变器电路，将直流电转换为交流电。PSMN5R5-60YS,115 的高效开关性能有助于提高逆变器的转换效率，降低系统能耗。 总之，PSMN5R5-60YS,115 凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于广泛的电力电子应用，尤其在需要高效、紧凑和可靠解决方案的场合表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 100A LFPAKMOSFET N-CHANNEL 60V STD LEVEL MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN5R5-60YS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN5R5-60YS,115 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 130 W |
| Pd-功率耗散 | 130 W |
| Qg-GateCharge | 56 nC |
| Qg-栅极电荷 | 56 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.6 V |
| 上升时间 | 24 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3501pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.2 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-4973-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 44 ns |
| 功率-最大值 | 130W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Triple Source |
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