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FDMC86160产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC86160由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC86160价格参考¥10.30-¥10.30。Fairchild SemiconductorFDMC86160封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 9A(Ta),43A(Tc) 2.3W(Ta),54W(Tc) Power33。您可以下载FDMC86160参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMC86160 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMC86160是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款MOSFET器件,常用于需要高效功率管理的场景。以下是其典型应用场景: 1. 电源管理系统:适用于DC-DC转换器、电源适配器等,实现高效的能量转换与调节。 2. 负载开关与电源分配:在服务器、通信设备和工业控制系统中,用作负载开关以控制电源分配,具备低导通电阻特性,减少功率损耗。 3. 马达驱动与执行机构控制:用于中小型电机驱动电路,如风扇控制、自动门锁系统等。 4. 电池供电设备:常见于笔记本电脑、平板、无人机等便携设备中,优化电池使用效率并延长续航时间。 5. 汽车电子系统:应用于车载充电系统、车身控制模块等,满足车规级可靠性要求。 该器件具备高频率开关能力、低Rds(on)及良好热性能,适合空间紧凑且对效率有较高要求的设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N CH 100V 9A POWER33MOSFET 30V 2xNCh Power Clip PowerTrench MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 43 A |
Id-连续漏极电流 | 43 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC86160PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDMC86160 |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 54 W |
Pd-功率耗散 | 54 W |
Qg-GateCharge | 15 nC |
Qg-栅极电荷 | 15 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 21 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 21 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.9 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.9 V |
上升时间 | 3.6 ns |
下降时间 | 3.4 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1290pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 14 毫欧 @ 9A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | Power33 |
其它名称 | FDMC86160CT |
典型关闭延迟时间 | 16 ns |
功率-最大值 | 2.3W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 152.700 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
封装/箱体 | MLP-8 3.3X3.3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 43 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9A (Ta), 43A (Tc) |
系列 | FDMC86160 |
配置 | H-Bridge |