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产品简介:
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NTD78N03-035 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于各类电子设备中。该器件具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点,适合用于需要高效功率控制的场景。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、电源开关、负载开关等,适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的电源管理系统。 2. 电机控制:可用于直流电机驱动电路中,作为开关元件,实现对电机启停和转速的控制。 3. 电池供电设备:如移动电源、电动工具、无人机等便携设备中,用于提高能效和延长电池续航。 4. 汽车电子:用于车载电源系统、LED照明驱动、车载充电器等场景,满足汽车环境对可靠性和稳定性的要求。 5. 工业自动化:如PLC、工业控制模块、继电器替代方案中,实现高速开关和低损耗运行。 该MOSFET采用TO-252封装,便于散热和安装,适用于中高功率应用。其30V的漏源电压和78A的连续漏极电流能力,使其在多种功率应用中具有良好的性能表现。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 25V 11.4A IPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTD78N03-035 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2250pF @ 12V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6 毫欧 @ 78A,10V |
供应商器件封装 | I-Pak |
功率-最大值 | 1.4W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 短截引线,IPak |
标准包装 | 75 |
漏源极电压(Vdss) | 25V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11.4A (Ta), 78A (Tc) |