Datasheet下载- 型号： SIA467EDJ-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIA467EDJ-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA467EDJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA467EDJ-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIA467EDJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIA467EDJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIA467EDJ-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，适用于多种电源管理和开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关，因其低导通电阻（Rds(on)）和高效率特性，有助于提高电源系统的整体效率。 2. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子产品中，用于电池保护电路和电源切换，以延长电池寿命。 3. 电机控制：用于小型电机或风扇的驱动控制，提供快速开关响应和良好热稳定性。 4. 负载开关与热插拔控制：在服务器、通信设备和工业控制系统中，用于控制电源供应，防止过流和短路。 5. 汽车电子：如车载电源系统、LED 照明控制等，适用于对可靠性和效率有较高要求的汽车环境。 该器件采用小型封装（如 TSOP），适合高密度 PCB 设计，且具备良好的热性能和耐用性，适用于中低功率开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 31A SC70-6MOSFET -12V .013Ohm@4.5V 31A P-Ch G-III |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 31 A |
| Id-连续漏极电流 | - 31 A |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SiA467EDJ-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIA467EDJ-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 19 W |
| Pd-功率耗散 | 19 W |
| Qg-GateCharge | 29 nC |
| Qg-栅极电荷 | 29 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.4 V to - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.4 V to - 1 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 50 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2520pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 72nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 单 |
| 其它名称 | SIA467EDJ-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 90 ns |
| 功率-最大值 | 19W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 31 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/12-v-20-v-and-30-v-gen-iii-pchannel-mosfets/50387 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 31A （Tc） |
| 配置 | Single |
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