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  • 型号: STGWT80H65DFB
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STGWT80H65DFB由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGWT80H65DFB价格参考。STMicroelectronicsSTGWT80H65DFB封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-3P。您可以下载STGWT80H65DFB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGWT80H65DFB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

84ns/280ns

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

240A

描述

IGBT 650V 120A 469W TO3P-3LIGBT 晶体管 Trench gate H series 650V 80A HiSpd

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

414nC

IGBT类型

沟道和场截止

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGWT80H65DFB-

mouser_ship_limit

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产品型号

STGWT80H65DFB

SwitchingEnergy

2.1mJ (开), 1.5mJ (关)

TestCondition

400V, 80A, 10 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2V @ 15V, 80A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-3P

其它名称

497-14234-5

功率-最大值

469W

功率耗散

469 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

85ns

商标

STMicroelectronics

在25C的连续集电极电流

120 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

封装/箱体

TO-3P

工厂包装数量

30

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

栅极—射极漏泄电流

250 nA

标准包装

30

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/650-v-igbt-hb-series-transistors/52308

电压-集射极击穿(最大值)

650V

电流-集电极(Ic)(最大值)

120A

系列

STGWT80H65DFB

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

650 V

集电极—射极饱和电压

1.6 V

集电极最大连续电流Ic

80 A

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