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  • 型号: IRFH5206TR2PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH5206TR2PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH5206TR2PBF价格参考。International RectifierIRFH5206TR2PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 16A(Ta),89A(Tc) 3.6W(Ta),100W(Tc) 8-PQFN(5x6)。您可以下载IRFH5206TR2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFH5206TR2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 60V 5X6 PQFNMOSFET MOSFT 60V 87A 7mOhm 40nC Qg

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

16 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH5206TR2PBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRFH5206TR2PBF

PCN组件/产地

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PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

3.6 W

Pd-功率耗散

3.6 W

Qg-GateCharge

40 nC

Qg-栅极电荷

40 nC

RdsOn-漏源导通电阻

6.7 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

11 ns

下降时间

8.2 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2490pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

60nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6.7 毫欧 @ 50A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PQFN(5x6)

其它名称

IRFH5206TR2PBFDKR

功率-最大值

3.6W

包装

Digi-Reel®

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

6.7 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerVQFN

封装/箱体

PQFN-10 5x6

工厂包装数量

400

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

73 S

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

16 A

漏源极电压(Vdss)

60V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/internationalrectifier/pqfn.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

16A (Ta), 89A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh5206.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh5206.spi

配置

Single

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