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  • 型号: ATF-55143-TR1G
  • 制造商: Avago Technologies
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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ATF-55143-TR1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-55143-TR1G由Avago Technologies设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-55143-TR1G价格参考。Avago TechnologiesATF-55143-TR1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet E-pHEMT 2.7V 10mA 2GHz 17.7dB 14.4dBm SOT-343。您可以下载ATF-55143-TR1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ATF-55143-TR1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

IC TRANS E-PHEMT 2GHZ SOT-343射频JFET晶体管 Transistor GaAs Single Voltage

产品分类

RF FET分离式半导体

Id-ContinuousDrainCurrent

100 mA

Id-连续漏极电流

100 mA

品牌

Avago Technologies US Inc.

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies ATF-55143-TR1G-

数据手册

http://www.avagotech.com/docs/AV02-0923EN

P1dB

14.4 dBm

产品型号

ATF-55143-TR1G

PCN组件/产地

http://www.avagotech.com/docs/V11-024-480035-0B

Pd-PowerDissipation

270 mW

Pd-功率耗散

270 mW

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

5 V

Vds-漏源极击穿电压

5 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

- 5 V to 1 V

Vgs-栅源极击穿电压

- 5 V to 1 V

产品

RF JFET

产品目录页面

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产品种类

射频JFET晶体管

供应商器件封装

SOT-343

其它名称

516-1573-6

功率-输出

14.4dBm

功率耗散

270 mW

包装

Digi-Reel®

商标

Avago Technologies

噪声系数

0.6dB

增益

17.7dB

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-82A,SOT-343

封装/箱体

SOT-343

工厂包装数量

3000

技术

GaAs

晶体管极性

N-Channel

晶体管类型

pHEMT FET

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

220 mmho

漏极连续电流

100 mA

漏源电压VDS

5 V

电压-测试

2.7V

电压-额定

5V

电流-测试

10mA

类型

GaAs EpHEMT

配置

Single Dual Source

闸/源击穿电压

- 5 V to 1 V

频率

2GHz

额定电流

100mA

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