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ATF-55143-TR1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-55143-TR1G由Avago Technologies设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-55143-TR1G价格参考。Avago TechnologiesATF-55143-TR1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet E-pHEMT 2.7V 10mA 2GHz 17.7dB 14.4dBm SOT-343。您可以下载ATF-55143-TR1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ATF-55143-TR1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ATF-55143-TR1G是Broadcom Limited推出的一款高性能砷化镓(GaAs)增强型伪形场效应晶体管(pHEMT),属于射频MOSFET类别,广泛应用于高频、低噪声的射频前端设计中。该器件具有极低的噪声系数(典型值0.4 dB @ 2 GHz)、高增益(约16 dB @ 2 GHz)和良好的线性度,适合在10 MHz至4 GHz频率范围内稳定工作。 其主要应用场景包括:无线通信基础设施中的低噪声放大器(LNA),如蜂窝基站、微波链路和小信号接收模块;卫星通信系统中的射频接收前端,用于提升信号灵敏度;以及宽带无线接入系统,如WLAN、WiMAX和点对点无线传输设备。此外,ATF-55143-TR1G也适用于测试与测量仪器、雷达系统和航空航天电子设备中的高频放大电路。 由于其采用增强型设计(正栅压开启),简化了偏置电路设计,提高了系统可靠性,同时具备良好的抗静电能力(ESD保护),适合高要求的工业和通信环境。该器件采用小型表面贴装封装(SOT-343),便于高密度PCB布局,适用于空间受限的高频应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | IC TRANS E-PHEMT 2GHZ SOT-343射频JFET晶体管 Transistor GaAs Single Voltage |
产品分类 | RF FET分离式半导体 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 100 mA |
Id-连续漏极电流 | 100 mA |
品牌 | Avago Technologies US Inc. |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies ATF-55143-TR1G- |
数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-0923EN |
P1dB | 14.4 dBm |
产品型号 | ATF-55143-TR1G |
PCN组件/产地 | http://www.avagotech.com/docs/V11-024-480035-0B |
Pd-PowerDissipation | 270 mW |
Pd-功率耗散 | 270 mW |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 5 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 5 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 5 V to 1 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | - 5 V to 1 V |
产品 | RF JFET |
产品目录页面 | |
产品种类 | 射频JFET晶体管 |
供应商器件封装 | SOT-343 |
其它名称 | 516-1573-6 |
功率-输出 | 14.4dBm |
功率耗散 | 270 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Avago Technologies |
噪声系数 | 0.6dB |
增益 | 17.7dB |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-82A,SOT-343 |
封装/箱体 | SOT-343 |
工厂包装数量 | 3000 |
技术 | GaAs |
晶体管极性 | N-Channel |
晶体管类型 | pHEMT FET |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 220 mmho |
漏极连续电流 | 100 mA |
漏源电压VDS | 5 V |
电压-测试 | 2.7V |
电压-额定 | 5V |
电流-测试 | 10mA |
类型 | GaAs EpHEMT |
配置 | Single Dual Source |
闸/源击穿电压 | - 5 V to 1 V |
频率 | 2GHz |
额定电流 | 100mA |