Datasheet下载- 型号： MRFE6S9135HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6S9135HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6S9135HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6S9135HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFE6S9135HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6S9135HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFE6S9135HR3 是 NXP USA Inc. 生产的一款高性能射频功率 MOSFET 晶体管，主要用于高功率射频放大应用。其典型应用场景包括工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量系统，如射频加热、等离子体生成、射频干燥和医疗设备中的射频消融等。该器件工作频率范围宽，可在 806–960 MHz 频段高效运行，输出功率高达数百瓦，适合需要高效率和高稳定性的大功率射频放大电路。 此外，MRFE6S9135HR3 常用于陆地移动无线电基站和广播发射设备中，作为最终功率放大级，具备良好的热稳定性和耐用性。其采用先进的 LDMOS 技术，支持高增益、高线性度和高效率，有助于降低系统功耗并提升整体性能。该器件为螺钉固定式陶瓷封装（Flanged Package），具有优异的散热能力，适用于连续波（CW）和脉冲工作模式。 由于其高可靠性与出色的射频性能，MRFE6S9135HR3 广泛应用于对稳定性要求严苛的通信和工业领域，是现代高功率射频系统中的关键元器件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 39W 28V NI-880 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRFE6S9135HR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880 |
| 功率-输出 | 39W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 21dB |
| 封装/外壳 | NI-880 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 66V |
| 电流-测试 | 1A |
| 频率 | 940MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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