Datasheet下载- 型号： CGHV14250F
- 制造商： Cree
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CGHV14250F由Cree设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CGHV14250F价格参考。CreeCGHV14250F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CGHV14250F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CGHV14250F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为CGHV14250F的射频MOSFET晶体管（品牌为Cree/Wolfspeed）主要应用于高功率射频领域。该器件基于SiC（碳化硅）技术，具有高效率、高耐压和优异的热管理性能，适用于需要高功率密度和高可靠性的场景。 其主要应用场景包括： 1. 广播发射机：用于AM/FM广播或电视发射系统中的射频功率放大模块，提供高稳定性和长寿命支持。 2. 工业加热设备：如射频感应加热系统，用于金属加热、材料处理等领域，具备高效率与高频率响应特性。 3. 医疗设备：在某些高频治疗设备中作为功率放大器使用，如射频消融设备等。 4. 测试与测量设备：用于射频功率放大器测试平台，为研发和生产提供稳定的高功率输出。 5. 通信基础设施：适用于专网通信、基站放大器等场景，特别是在需要高线性和高输出功率的无线通信系统中。 该器件支持L波段至UHF频段，典型工作频率范围广泛，具备良好的宽带匹配能力，适合多种射频功率放大应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Cree Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CGHV14250F |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 440162 |
| 功率-输出 | 330W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18dB |
| 封装/外壳 | 440162 |
| 晶体管类型 | HEMT |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 125V |
| 电流-测试 | 500mA |
| 频率 | 1.2GHz ~ 1.4GHz |
| 额定电流 | 42mA |
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