Datasheet下载- 型号： MRF8S21100HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S21100HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S21100HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S21100HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S21100HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S21100HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8S21100HSR3是NXP USA Inc.生产的一款射频功率MOSFET晶体管，主要应用于射频（RF）功率放大领域。该器件特别适用于2G、3G、4G等移动通信基站设备中的射频功率放大器设计，具备高效率、高增益和高稳定性的特点。 该型号工作频率范围宽，适合在2.1GHz频段附近工作，广泛用于无线通信基础设施，如蜂窝网络基站、小基站（Small Cell）和分布式天线系统（DAS）等。其高功率输出能力和良好的线性性能，使其在多载波通信系统中表现出色，能够满足现代通信系统对高数据传输速率和信号质量的要求。 此外，MRF8S21100HSR3采用高可靠性封装，具备良好的热稳定性和耐用性，适用于长时间高负荷运行的工业环境。它也常用于广播系统、工业加热设备和测试测量仪器中的射频功率控制部分。 总之，MRF8S21100HSR3是一款面向通信基础设施的高性能射频功率MOSFET器件，适用于多种高频、高功率场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 700MA NI780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF8S21100HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 其它名称 | MRF8S21100HSR3DKR |
| 功率-输出 | 24W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.3dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 700mA |
| 频率 | 2.17GHz |
| 额定电流 | - |
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