【未分类_MRF8S21100HR3】封装/厂家_MRF8S21100HR3中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： MRF8S21100HR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S21100HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S21100HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S21100HR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF8S21100HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S21100HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc. 生产的型号为 MRF8S21100HR3 的射频晶体管，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该器件专为高频、高功率射频应用设计，其典型应用场景包括：

 1. 射频功率放大器 (RF Power Amplifiers)
   - MRF8S21100HR3 主要用于射频功率放大器的设计，适用于无线通信系统中的高功率信号放大。
   - 它支持 L 波段（约 1.2-1.4 GHz）频率范围，能够提供高达 100W 的输出功率，适合需要高效能量转换的场景。

 2. 航空与国防通信
   - 在雷达系统中，该晶体管可用于发射机部分，提升信号的传输距离和覆盖范围。
   - 适用于卫星通信、导航系统以及军用无线电设备中的功率放大模块。

 3. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域
   - 在 ISM 频段的应用中，例如微波加热设备或等离子体发生器，MRF8S21100HR3 可以提供稳定的功率输出，确保设备运行效率。

 4. 广播通信
   - 用于调频广播（FM）或电视广播的发射机中，作为核心功率放大元件，保证信号的高质量传输。
   - 其高线性度和低失真特性使其非常适合广播应用。

 5. 测试与测量设备
   - 在射频测试仪器中，如信号发生器或频谱分析仪，该晶体管可以用来生成高精度的射频信号或放大待测信号。

 总结
MRF8S21100HR3 凭借其高功率输出能力、宽动态范围和良好的线性性能，广泛应用于需要高效率和高可靠性的射频系统中。无论是商业通信还是国防科技领域，这款器件都能满足严苛的技术要求。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 28V NI780H
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF8S21100HR3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780
功率-输出	24W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	18.3dB
封装/外壳	NI-780
晶体管类型	N 通道
标准包装	250
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	700mA
频率	2.11GHz ~ 2.17GHz
额定电流	-