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SUM90P10-19L-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SUM90P10-19L-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUM90P10-19L-E3价格参考¥20.63-¥41.58。VishaySUM90P10-19L-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 100V 90A (Tc) 13.6W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)。您可以下载SUM90P10-19L-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SUM90P10-19L-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SUM90P10-19L-E3 是一款 P 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管中的 FET 类别。该器件采用先进的沟槽技术制造,具有低导通电阻(RDS(on))、高效率和优良的热性能,适用于多种电源管理与功率控制场景。 其典型应用场景包括:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑和笔记本电脑)中的负载开关和电源管理模块;电池供电系统中的反向电流保护和电池极性保护电路;DC-DC 转换器中的同步整流或高端/低端开关;以及各类电源分配和热插拔控制电路。此外,由于其封装小巧(如PowerPAK SO-8),适合空间受限的高密度 PCB 设计。 SUM90P10-19L-E3 还常用于电机驱动、LED 驱动电源和工业控制模块中,作为开关元件实现高效电能控制。其-100V的漏源电压和良好的雪崩耐受能力,使其在面对电压瞬变和感性负载时具备较高可靠性。同时,该器件符合 RoHS 环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子产品制造。 综上,SUM90P10-19L-E3 凭借其高性能和紧凑设计,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等领域的功率开关和电源管理方案中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 90A D2PAKMOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 17.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 17.2 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUM90P10-19L-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SUM90P10-19L-E3SUM90P10-19L-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 13.6 W |
| Pd-功率耗散 | 13.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 19 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 19 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 510 ns |
| 下降时间 | 870 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11100pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 326nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 19 毫欧 @ 20A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263(D2Pak) |
| 其它名称 | SUM90P10-19L-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 145 ns |
| 功率-最大值 | 375W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 50 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 90A (Tc) |
| 系列 | SUM |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |