【未分类_IRF6621TR1PBF】封装/厂家_IRF6621TR1PBF中文资料_价格

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型号： IRF6621TR1PBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6621TR1PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6621TR1PBF价格参考。International RectifierIRF6621TR1PBF封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRF6621TR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6621TR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRF6621TR1PBF的MOSFET，属于N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和耐高温特性，适用于多种电力电子设备。

主要应用场景包括：

1. 电源管理模块：用于DC-DC转换器、同步整流器等，提高电源转换效率，常见于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源系统中。

2. 电机控制：适用于无刷直流电机（BLDC）驱动器、电动工具、工业自动化设备中的功率开关，实现高效调速与节能。

3. 电池管理系统（BMS）：在电动车、储能系统和便携式设备中，用于电池充放电控制与保护电路。

4. 负载开关与电源分配：作为高效开关用于多路电源管理系统，实现对不同负载的快速控制与隔离。

5. 工业与消费类电源设备：如变频器、UPS不间断电源、LED照明驱动等，提供稳定可靠的功率控制能力。

该MOSFET采用Trench沟槽技术，具备优异的热性能与电流处理能力，适合在高频率与高负载环境下运行，是工业及消费类电子产品中常用的功率器件。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	International Rectifier
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	IRF6621TR1PBF
PCN其它	点击此处下载产品Datasheet
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.25V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1460pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	17.5nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	9.1 毫欧 @ 12A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
产品目录绘图
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
供应商器件封装	DIRECTFET™ SQ
其它名称	IRF6621TR1PBFTR
功率-最大值	2.2W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	DirectFET™ 等容 SQ
标准包装	1,000
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	12A （Ta）， 55A （Tc）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6621.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6621.spi