Datasheet下载- 型号： SI2335DS-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2335DS-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2335DS-T1-E3价格参考。VishaySI2335DS-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI2335DS-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2335DS-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI2335DS-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于各种电力电子场景中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：用于降压或升压电路中的开关元件，实现高效的电压转换。 - 负载开关：控制电路中负载的通断，保护下游电路免受过流或短路影响。 - 电池管理系统 (BMS)：在电池充电和放电过程中，作为开关或保护元件，确保电流稳定并防止过充或过放。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中，作为功率开关，控制电机的启停、转向和速度。 - 应用于消费电子设备（如风扇、泵、玩具等）中的电机控制。 3. 便携式设备 - 适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备的电源管理模块。 - 用作USB端口的保护开关，防止过流或短路。 4. 信号切换 - 在音频或视频信号切换电路中，作为低功耗的开关元件，实现多路信号的快速切换。 5. 保护电路 - 过流保护：利用MOSFET的低导通电阻特性，设计高效的过流保护电路。 - ESD保护：结合其他元件，为敏感电路提供静电放电保护。 6. 汽车电子 - 用于车载电子设备（如导航系统、娱乐系统）的电源管理。 - 在汽车LED照明系统中，作为驱动开关，控制灯光明暗和开关状态。 特性优势 - 低导通电阻 (Rds(on))：降低功率损耗，提高效率。 - 高开关速度：适合高频应用，减少开关损耗。 - 小封装尺寸 (DFN1006-2A)：节省PCB空间，适合紧凑型设计。 总之，SI2335DS-T1-E3凭借其高性能和小体积，适用于多种低功耗、高效能的电子应用场景，特别是在便携式设备、电源管理和电机驱动领域表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23MOSFET 12V 4.0A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4 A |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?71314 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2335DS-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI2335DS-T1-E3SI2335DS-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 750 mW |
| Pd-功率耗散 | 750 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 51 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 51 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 450mV @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1225pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 51 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | SI2335DS-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 750mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.2A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI2335DS-E3 |
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