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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STFV4N150由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STFV4N150价格参考。STMicroelectronicsSTFV4N150封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STFV4N150参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STFV4N150 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的型号STFV4N150是一款N沟道增强型垂直功率MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该器件具有1500V的高击穿电压(BVDSS),适用于高压开关场景,以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS): STFV4N150可用于开关电源中的高压开关元件,例如在PFC(功率因数校正)电路或DC-DC转换器中。其高耐压特性使其能够承受输入端的高电压波动。 2. 电机驱动: 在工业控制和家用电器领域,该MOSFET可用于驱动中小型电机。它适合用作高压侧开关,特别是在需要高电压隔离的场景中。 3. 逆变器: 用于光伏逆变器或UPS(不间断电源)系统中,作为高压开关元件,实现直流到交流的转换。 4. 固态继电器: STFV4N150可用作固态继电器的核心开关元件,替代传统机械继电器,提供更高的可靠性和更长的使用寿命。 5. 高压负载开关: 在需要频繁开启和关闭高压负载的应用中,该MOSFET可以充当高效的开关,确保低导通损耗和快速开关性能。 6. 电子镇流器: 用于荧光灯或其他气体放电灯的电子镇流器中,提供高效的高压启动和稳定运行功能。 7. 电池管理系统(BMS): 在高压电池组保护电路中,该MOSFET可以用作主开关,防止过充、过放或短路等异常情况。 STFV4N150凭借其高击穿电压、低漏电流和良好的热稳定性,非常适合需要高压、高效和可靠性能的工业及消费类电子产品应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220FH |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | STFV4N150 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerMESH™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7 欧姆 @ 2A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-5093-5 |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1500V(1.5kV) |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4A (Tc) |