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  • 型号: STFV4N150
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STFV4N150由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STFV4N150价格参考。STMicroelectronicsSTFV4N150封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STFV4N150参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STFV4N150 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的型号STFV4N150是一款N沟道增强型垂直功率MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该器件具有1500V的高击穿电压(BVDSS),适用于高压开关场景,以下是其主要应用场景:

1. 开关电源(SMPS):  
   STFV4N150可用于开关电源中的高压开关元件,例如在PFC(功率因数校正)电路或DC-DC转换器中。其高耐压特性使其能够承受输入端的高电压波动。

2. 电机驱动:  
   在工业控制和家用电器领域,该MOSFET可用于驱动中小型电机。它适合用作高压侧开关,特别是在需要高电压隔离的场景中。

3. 逆变器:  
   用于光伏逆变器或UPS(不间断电源)系统中,作为高压开关元件,实现直流到交流的转换。

4. 固态继电器:  
   STFV4N150可用作固态继电器的核心开关元件,替代传统机械继电器,提供更高的可靠性和更长的使用寿命。

5. 高压负载开关:  
   在需要频繁开启和关闭高压负载的应用中,该MOSFET可以充当高效的开关,确保低导通损耗和快速开关性能。

6. 电子镇流器:  
   用于荧光灯或其他气体放电灯的电子镇流器中,提供高效的高压启动和稳定运行功能。

7. 电池管理系统(BMS):  
   在高压电池组保护电路中,该MOSFET可以用作主开关,防止过充、过放或短路等异常情况。

STFV4N150凭借其高击穿电压、低漏电流和良好的热稳定性,非常适合需要高压、高效和可靠性能的工业及消费类电子产品应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220FH

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

STMicroelectronics

数据手册

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产品图片

产品型号

STFV4N150

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

PowerMESH™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1300pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

50nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7 欧姆 @ 2A,10V

供应商器件封装

TO-220

其它名称

497-5093-5

功率-最大值

40W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3 全封装,隔离接片

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

1500V(1.5kV)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4A (Tc)

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