Datasheet下载- 型号： SI3493BDV-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3493BDV-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3493BDV-T1-GE3价格参考。VishaySI3493BDV-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3493BDV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3493BDV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3493BDV-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：适用于降压、升压或升降压转换器，作为主开关管或同步整流管。 - 负载开关：用于动态控制电路的开启与关闭，降低功耗并保护电路。 - 电池管理系统 (BMS)：用于电池充放电路径的控制，支持高效能量传输。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：用于驱动风扇、泵或其他小型电机，提供高效的开关性能。 - H 桥电路：在双极性电机驱动中用作开关元件。 3. 消费电子设备 - 笔记本电脑与平板电脑：用于电源适配器、内部电源管理和电池充电电路。 - 智能手机和平板充电器：作为同步整流器件，提高效率并减少发热。 - 音频放大器：用于功率输出级，提供稳定的电流驱动能力。 4. 工业应用 - 开关电源 (SMPS)：在 AC-DC 或 DC-DC 电源中作为主开关管或辅助开关管。 - LED 驱动器：用于大功率 LED 照明系统的恒流控制，确保亮度稳定。 - 工业控制器：在 PLC 和其他自动化设备中实现信号隔离和功率切换。 5. 汽车电子 - 车载电子设备：如信息娱乐系统、导航设备等的电源管理。 - 电动窗和座椅调节：用于驱动相关的小型电机。 - 新能源汽车：在低压电池管理系统中发挥重要作用。 SI3493BDV-T1-GE3 的低 Rds(on) 特性使其非常适合需要高效能和低损耗的应用场景，同时其紧凑的封装形式（如 VFQFN8）也便于设计者在空间受限的情况下使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 1.805 nF |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOPMOSFET 20V 8.0A 2.97W 27.5mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
| Id-连续漏极电流 | 7 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3493BDV-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3493BDV-T1-GE3SI3493BDV-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 2.08 W |
| Pd-功率耗散 | 2.08 W |
| Qg-栅极电荷 | 29 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 27.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 27.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 900 mV |
| 上升时间 | 72 ns |
| 下降时间 | 84 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1805pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43.5nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 27.5 毫欧 @ 7A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3493BDV-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 75 ns |
| 功率-最大值 | 2.97W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 27.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI3493BDV-GE3 |
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