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Datasheet下载- 型号： IRFBC40PBF
- 制造商： Vishay
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IRFBC40PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFBC40PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFBC40PBF价格参考。VishayIRFBC40PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRFBC40PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFBC40PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRFBC40PBF是一款N沟道功率MOSFET，主要应用于需要高效开关和低导通电阻的电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：IRFBC40PBF广泛用于各种电源管理系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等。它能够在高频率下实现高效的开关操作，减少能量损耗，提高电源转换效率。 2. 电机驱动：在电机驱动应用中，IRFBC40PBF可以作为驱动电路中的关键元件，控制电机的启动、停止和调速。其低导通电阻特性有助于降低发热，延长设备寿命。 3. 电池管理系统：该MOSFET适用于电池保护电路，能够快速响应过流、短路等异常情况，确保电池安全。同时，其低功耗特点有助于延长电池续航时间。 4. 消费电子：在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，IRFBC40PBF用于充电电路、背光驱动等模块，提供稳定可靠的电流控制。 5. 工业自动化：在工业控制系统中，如PLC、伺服驱动器等，IRFBC40PBF可用于信号隔离、负载切换等功能，保证系统的稳定性和安全性。 6. 汽车电子：随着电动汽车和智能驾驶技术的发展，IRFBC40PBF在车载电子系统中也得到了广泛应用，如电动助力转向、空调压缩机控制等场景，满足车规级要求。 7. 通信设备：在基站、路由器等通信设备中，IRFBC40PBF用于电源调节、信号放大等环节，确保通信链路的稳定性和可靠性。 总之，IRFBC40PBF凭借其优异的电气性能和可靠性，在多个领域发挥着重要作用，尤其适合对效率和稳定性有较高要求的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220ABMOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.2 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFBC40PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFBC40PBFIRFBC40PBF |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 18 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 3.7A，10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRFBC40PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 功率-最大值 | 125W |
| 功率耗散 | 125 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 1.2 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 6.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.2A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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