Datasheet下载- 型号： PSMN4R0-25YLC,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN4R0-25YLC,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN4R0-25YLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN4R0-25YLC,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN4R0-25YLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN4R0-25YLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN4R0-25YLC,115 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的高性能N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有超低导通电阻（Rds(on)典型值仅4.0 mΩ @ Vgs=10V，4.8 mΩ @ Vgs=4.5V）、快速开关特性及优异热性能。其主要应用场景包括： • 高效率DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流BUCK转换器、POL（负载点）模块，可显著降低导通损耗，提升系统能效。 • 电机驱动与电子负载控制：适用于小型BLDC电机驱动、风扇控制、电动工具及机器人执行器的H桥或半桥功率级，支持4.5V逻辑电平直接驱动，简化栅极驱动设计。 • 电池管理系统（BMS）与电源路径管理：用于便携式设备、电动自行车及储能系统的充放电保护电路、理想二极管（OR-ing）及电池反向阻断，具备强抗雪崩能力（UIS额定），保障系统可靠性。 • LED照明驱动与智能照明控制：在高电流LED恒流驱动或调光电路中作为主开关器件，支持PWM高频调光，温升低、体积紧凑。 该器件额定电压25V、连续漏极电流达120A（Tc=25°C），兼具高功率密度与稳健性，特别适合空间受限、散热要求严苛且需高可靠性的中大功率开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 84A LFPAKMOSFET N-CH 25 V 4.5 mOhms LOGIC LEVEL MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 84 A |
| Id-连续漏极电流 | 84 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN4R0-25YLC,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN4R0-25YLC,115 |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 61 W |
| Pd-功率耗散 | 61 W |
| Qg-GateCharge | 22.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 22.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.53 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.53 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.95V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1407pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-6736-6 |
| 功率-最大值 | 61W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 84A （Tmb） |
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