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  • 型号: STW36NM60N
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STW36NM60N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW36NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTW36NM60N封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STW36NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW36NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics(意法半导体)的STW36NM60N是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效、高可靠性的电源管理系统中。其主要应用场景包括:

1. 电源转换系统:如AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)等,适用于600V高电压环境,具备良好的导通损耗和开关损耗特性。

2. 电机驱动:用于工业自动化设备、电动工具、家电中的电机控制电路,提供高效能和高耐用性。

3. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和光伏逆变器中,作为核心开关元件实现电能的高效转换。

4. 电动汽车相关应用:包括车载充电器(OBC)、DC-DC转换器等,适用于高电压、中高功率的电能转换场合。

5. 工业控制设备:如PLC、变频器、伺服驱动器等,适用于需要高可靠性和高效率的工业环境。

该器件采用TO-247封装,具备良好的散热性能,适合高功率应用。其600V耐压、36A额定电流及低导通电阻(Rds(on))特性,使其在多种高电压、中高功率场景中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 29A TO-247

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

STMicroelectronics

数据手册

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产品图片

产品型号

STW36NM60N

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

MDmesh™ II

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2722pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

83.6nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

105 毫欧 @ 14.5A,10V

供应商器件封装

TO-247-3

其它名称

497-12369

功率-最大值

210W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

29A (Tc)

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