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  • 型号: IRFS4321PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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IRFS4321PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS4321PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS4321PBF价格参考。International RectifierIRFS4321PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 85A(Tc) 350W(Tc) D2PAK。您可以下载IRFS4321PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFS4321PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 150V 83A D2PAKMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 71nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

83 A

Id-连续漏极电流

83 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS4321PBFHEXFET®

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产品型号

IRFS4321PBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

330 W

Pd-功率耗散

330 W

Qg-GateCharge

71 nC

Qg-栅极电荷

71 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

12 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

12 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

150 V

Vds-漏源极击穿电压

150 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4460pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

110nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

15 毫欧 @ 33A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

功率-最大值

330W

功率耗散

330 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

12 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

71 nC

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

150 V

漏极连续电流

83 A

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

85A (Tc)

配置

Single Dual Drain

闸/源击穿电压

30 V

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