ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > ZXM64P03XTA
Datasheet下载- 型号： ZXM64P03XTA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
ZXM64P03XTA产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXM64P03XTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXM64P03XTA价格参考。Diodes Inc.ZXM64P03XTA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 3.8A（Ta） 1.1W（Ta） 8-MSOP。您可以下载ZXM64P03XTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXM64P03XTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXM64P03XTA 是由 Diodes 公司生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET，主要应用于需要高效功率控制的场合。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高可靠性和小型封装，适合用于以下场景： 1. 电源管理：如 DC-DC 转换器、负载开关、电池充电管理电路等，用于高效控制电流流动。 2. 电机驱动：在小型电机或风扇控制电路中作为开关元件使用。 3. 负载开关：用于控制电源对负载的供给，如在便携式设备中控制不同模块的供电。 4. 逆变器和电源转换系统：适用于需要高效率功率转换的逆变器或电源适配器中。 5. 汽车电子：如车载充电系统、车身控制模块等对可靠性和空间要求较高的场景。 6. 工业控制：用于 PLC、传感器模块、继电器替代方案等工业自动化设备中。 该 MOSFET 的优势在于其低导通电阻可减少导通损耗，提高系统效率，同时其小型封装（如 SOT223）节省 PCB 空间，适合高密度设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOPMOSFET 30V P Chnl HDMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 3.8 A |
| Id-连续漏极电流 | - 3.8 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXM64P03XTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXM64P03XTA |
| Pd-PowerDissipation | 1.1 W |
| Pd-功率耗散 | 1.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 75 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 75 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 6.2 ns |
| 下降时间 | 6.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 825pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 46nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 75 毫欧 @ 2.4A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-MSOP |
| 其它名称 | ZXM64P03X |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 封装/箱体 | MSOP-8 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.8A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
