Datasheet下载- 型号： ZVN3320FTA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVN3320FTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVN3320FTA价格参考。Diodes Inc.ZVN3320FTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZVN3320FTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVN3320FTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZVN3320FTA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 电源管理：该器件适用于各种低电压、低功耗的电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、线性稳压器和负载开关等。由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，能够有效减少功率损耗，提高效率。 2. 消费电子设备：在便携式设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，ZVN3320FTA 可用于电池管理、充电电路保护以及音频放大器驱动等场合。 3. 信号切换与控制：这款 MOSFET 常被用作开关元件，在数据通信接口（如 USB、UART）或传感器信号路径中实现快速切换和隔离功能。 4. 电机驱动及控制：对于小型直流电机或步进电机的驱动控制来说，ZVN3320FTA 提供了良好的性能表现，适合应用于玩具、家用电器内的简单运动控制系统。 5. 照明应用：LED 驱动电路中也可以见到它的身影，尤其是需要高效能转换且空间受限的情况下，比如背光驱动、指示灯控制等。 6. 保护电路设计：利用其快速响应特性和较低的开启阈值电压，可以构建过流保护、短路保护等功能模块，确保系统安全运行。 总之，ZVN3320FTA 凭借其优异的电气参数和紧凑的封装形式（SOT-23），非常适合用在对尺寸敏感且要求高效率的小功率应用环境中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3MOSFET N-Chnl 200V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 60 mA |
| Id-连续漏极电流 | 60 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVN3320FTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZVN3320FTA |
| Pd-PowerDissipation | 330 mW |
| Pd-功率耗散 | 330 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 25 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 45pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 欧姆 @ 100mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | ZVN3320FDKR |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 6 ns |
| 功率-最大值 | 330mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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