Datasheet下载- 型号： SI5475DDC-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5475DDC-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5475DDC-T1-GE3价格参考。VishaySI5475DDC-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI5475DDC-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5475DDC-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5475DDC-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于各种电力电子场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：该 MOSFET 可用作开关器件，在降压、升压或反激式 DC-DC 转换器中实现高效的电压转换。 - 负载开关：在需要快速切换负载电流的场合，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式设备中，SI5475DDC 提供低导通电阻（Rds(on)），以减少功率损耗。 - 电池管理：用于电池充电电路中的保护和控制，确保电池安全充放电。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中，该 MOSFET 可作为开关元件，通过 PWM 控制调节电机速度和方向。 - 应用于消费类电子产品（如风扇、泵）或家用电器（如吸尘器、电动工具）中的电机控制。 3. 通信设备 - 服务器与网络设备：在数据中心服务器、路由器和交换机的电源模块中，提供高效稳定的电流传输。 - 基站电源：用于电信基站中的电源管理系统，支持高效率和高可靠性要求。 4. 汽车电子 - 车载电子系统：如信息娱乐系统、导航设备和车身控制系统中，作为电源开关或信号隔离器件。 - 新能源汽车：在电动车或混合动力车的电池管理系统（BMS）中，用于电池组的充放电控制和保护。 5. 工业自动化 - 可编程逻辑控制器（PLC）：在工业控制领域，用于驱动继电器、电磁阀或其他执行机构。 - 传感器接口：为传感器供电并处理其输出信号，适用于工业物联网（IIoT）应用。 6. 消费类电子产品 - 音频设备：在功率放大器中用作开关或驱动元件，提供高质量的音频输出。 - 游戏设备：如游戏主机或手柄中的电源管理和散热控制。 特性优势 - 低导通电阻：降低功耗，提高效率。 - 高频率性能：适合高频开关应用。 - 坚固耐用：具备良好的抗静电能力和热稳定性，适应恶劣环境。 总之，SI5475DDC-T1-GE3 凭借其优异的电气特性和可靠性，成为众多电力电子应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8MOSFET 12V 6.0A 5.7W 32mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI5475DDC-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI5475DDC-T1-GE3SI5475DDC-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.2 w |
| Pd-功率耗散 | 1.2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 32 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 32 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 40 ns |
| 下降时间 | 40 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1600pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 32 毫欧 @ 5.4A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 其它名称 | SI5475DDC-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 5.7W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | 1206-8 ChipFET |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI5475DDC-GE3 |
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