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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 SIB404DK-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,常用于需要高效、高速开关性能的电源管理应用。该器件采用先进的 TrenchFET 技术,具有低导通电阻(Rds(on))、高功率密度和良好的热性能,适合在紧凑型设计中使用。 其主要应用场景包括: 1. 电源转换器:如 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、开关电源(SMPS)中,用于高效能的功率开关。 2. 电机控制:在电动工具、工业自动化设备或电动车中,作为电机驱动电路中的开关元件。 3. 负载开关:用于电源管理系统中控制电池供电设备的负载开关,实现低功耗管理。 4. 同步整流:在高效率电源中替代传统二极管进行同步整流,提高转换效率。 5. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制,提供高效的功率控制与保护功能。 该 MOSFET 封装为 TSOP,适合表面贴装,适用于自动化生产流程,广泛应用于通信设备、工业控制、消费电子和汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SIB404DK-T1-GE3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 800mV @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 19 毫欧 @ 3A, 4.5V |
供应商器件封装 | PowerPAK® SC-75-6L 单 |
功率-最大值 | 13W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK® SC-75-6L |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 12V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9A (Tc) |