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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ4702T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ4702T1G价格参考¥0.14-¥0.14。ON SemiconductorMMSZ4702T1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 15V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123。您可以下载MMSZ4702T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ4702T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ4702T1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。其主要应用场景包括: 1. 电压稳压: MMSZ4702T1G 的齐纳击穿电压为 2.0V,适用于低电压稳压电路。它可以为电路中的其他元件提供稳定的参考电压,尤其在电源电压波动较大的情况下。 2. 过压保护: 在电路中,该齐纳二极管可用于防止输入或输出电压过高,从而保护敏感器件。例如,在信号传输线路中,它可以限制瞬态高压,避免损坏后续电路。 3. 信号电平调整: 在模拟电路中,MMSZ4702T1G 可用于将信号电平钳位到特定的电压范围,确保信号符合后续处理电路的要求。 4. 基准电压源: 由于其稳定的击穿电压特性,MMSZ4702T1G 可作为低功耗的基准电压源,应用于需要精确电压参考的场景,如比较器电路或 ADC/DAC 系统。 5. ESD 保护: 在电子设备中,该齐纳二极管可以用来吸收静电放电(ESD)产生的瞬时高电压,保护敏感的 IC 或接口。 6. 音频和射频电路: 在一些低功率音频或射频应用中,MMSZ4702T1G 可用于钳位信号幅度,确保信号不失真且在安全范围内。 7. 电池管理: 在低电压电池管理系统中,该齐纳二极管可用于监测电池电压,并在电压超出设定范围时触发保护机制。 总结来说,MMSZ4702T1G 凭借其低击穿电压和高精度特性,适合应用于低电压稳压、过压保护、信号处理以及基准电压生成等场景,广泛用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 15V 500MW SOD123稳压二极管 15V 500mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMSZ4702T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMSZ4702T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 11.4V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 其它名称 | MMSZ4702T1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 封装/箱体 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 50 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 15V |
| 电压容差 | 3 % |
| 系列 | MMSZ4702 |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | - |
| 齐纳电压 | 15 V |
| 齐纳电流 | 50 uA |