Datasheet下载- 型号： STI400N4F6
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STI400N4F6由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STI400N4F6价格参考。STMicroelectronicsSTI400N4F6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STI400N4F6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STI400N4F6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）生产的型号为STI400N4F6的MOSFET，属于高性能沟道增强型功率MOSFET，主要应用于需要高电流、低导通电阻和高效能转换的场合。该器件具有40V的漏源电压（VDS）和极低的导通电阻（RDS(on)），适合大电流开关应用。 典型应用场景包括： 1. 电源管理系统：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流、DC-DC转换器，提升转换效率并降低功耗。 2. 电机驱动：适用于电动工具、无人机、电动车及工业自动化设备中的直流电机或步进电机控制，因其低导通损耗可减少发热，提高驱动效率。 3. 电池供电设备：如便携式医疗设备、移动电源、电动自行车等，用于电池保护电路或负载开关，实现高效能量管理。 4. 热插拔与负载开关：在电信和数据中心设备中，用于控制电源通断，防止浪涌电流损坏系统。 5. 逆变器与UPS系统：作为核心开关元件，在不间断电源和光伏逆变器中实现快速开关和低损耗功率转换。 STI400N4F6采用先进的制程技术，具备优良的热稳定性和可靠性，适合紧凑型高功率密度设计。其封装形式有利于散热，可在较宽温度范围内稳定运行，满足工业级和汽车级应用需求。总体而言，该MOSFET适用于对效率、尺寸和可靠性要求较高的现代电力电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | STI400N4F6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | DeepGATE™， STripFET™ VI |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 20000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 377nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.7 毫欧 @ 60A， 10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | 497-14566-5 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
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