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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HAT2160H-EL-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HAT2160H-EL-E价格参考。RENESAS ELECTRONICSHAT2160H-EL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HAT2160H-EL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HAT2160H-EL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HAT2160H-EL-E是瑞萨电子(Renesas Electronics America)推出的一款N沟道MOSFET,属于单MOSFET产品系列。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高效率和快速开关特性,适用于多种电源管理和功率控制场景。 其主要应用场景包括:便携式电子设备中的负载开关或电源切换,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备;电池供电系统中的电源管理模块,用于防止反向电流和实现高效能电能分配;各类消费类电子产品中的DC-DC转换器,提升电源转换效率;此外,也广泛应用于LED驱动电路、电机驱动以及小型电源适配器中,作为开关元件以降低功耗和发热。 HAT2160H-EL-E采用小型封装(如WPAK),适合空间受限的高密度PCB设计,同时具备良好的热性能和可靠性,可在较宽温度范围内稳定工作,满足工业级和消费级应用需求。由于其优异的开关特性和低静态功耗,特别适合对能效和尺寸要求较高的现代电子设备。总体而言,该MOSFET是一款高性能、高集成度的功率开关器件,广泛服务于移动设备、物联网终端及各类低电压、中低电流的电源控制场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | HAT2160H-EL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7750pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 54nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.6 毫欧 @ 30A,10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100,SOT-669 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 60A (Ta) |