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STFW1N105K3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STFW1N105K3由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STFW1N105K3价格参考。STMicroelectronicsSTFW1N105K3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1050V 1.4A(Tc) 20W(Tc) ISOWATT-218FX。您可以下载STFW1N105K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STFW1N105K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STFW1N105K3是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件主要适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池充电系统以及电机控制等场景。 由于其具备低导通电阻(Rds(on))、高耐压特性(如100V漏源击穿电压)和良好的热稳定性,STFW1N105K3在电源转换效率和功率密度要求较高的工业设备、汽车电子系统及消费类电子产品中均有广泛应用。例如,在电动汽车(EV)充电模块或光伏逆变器中,该MOSFET可用于实现高效的能量转换。 此外,该器件还适用于负载开关、功率管理单元以及各类高频开关应用,支持快速开关操作并减少开关损耗,有助于提升整体系统能效。其封装形式也便于散热设计,适合高功率密度应用场景。 总之,STFW1N105K3适用于对性能、可靠性与效率有较高要求的功率电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N CH 1050V 1.4A TO3PF |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STFW1N105K3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SuperMESH3™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 180pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11 欧姆 @ 600mA, 10V |
| 供应商器件封装 | TO-3PF |
| 其它名称 | 497-13646-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF255693?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 20W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3 整包 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1050V (1.05kV) |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.4A (Tc) |